咱们提到芯片工艺时体育游戏app平台，齐会说它是7nm、5nm、3nm等工艺的，数字越小，代表越先进，时间难度越大。
那么寰宇知说念这个5nm、3nm到底指的是芯片中的哪一个元件的尺寸为5nm、3nm么？
其真的100nm之前，这个XX纳米，对应的芯片工艺中，栅极的宽度，也即是漏极到源极的宽度，它是多纳米，芯片即是几许纳米工艺的。
但心爱钻空子的芯片厂们，就运转钻窗子了，既然栅极宽度，代表工艺，那么就思方设法镌汰它，不就工艺升迁了么？
于是从100nm运转，一直到2007年的40nm傍边，这10多年的时期里，出现了一个倒挂，那即是芯片工艺实质上是过时于栅极宽度的。
如下图所示，不错很剖释的看到，之前是Node(工艺)和Gate length(栅极长度)是对应的，其后工艺其后了。
再到40nm以下时，栅极宽度，又大于芯片工艺了，因为栅极宽度，无法执续松开，一朝太小了，会不褂讪，有多样场效应。
其后，业界提议了另外一个参数，也即是金属间距（Metal Pitch）的一半来代替这个栅极宽度，但这个影响到了各晶圆厂们“夸口”，寰宇不吸收，也不合外公开这个数值。
是以，当今芯片制造厂们的芯片工艺，其实是不公开透明的，齐是用等效工艺来说。
不外，要是去较真，依然不错用金属间距（Metal Pitch）的一半来望望其具体工艺怎么的。
而近日，ASML以为，摩尔定律没死，还在执续前进，到2039提时，以至会达到0.2nm，但这个仅仅说法辛勤，实质工艺应该是几许呢？ASML也作念出了逐个双应。
如上图所示。ASML将芯片工艺（Node name）、Metal Pitch（金属间距）进行了逐个双应，而将Metal Pitch除以2，即是半金属间距了。
不错看到，在5nm时，实质金属半间距是14nm傍边，而3nm时，则是11.5nm，2nm时是11nm傍边。1nm时，是9nm，到Sub-0.2（升级版0.2nm）时，这个半金属间距，实质上是6nm。
这个其实代表的才是芯片实质信得过的工艺水平体育游戏app平台，这个金属半间距的跳跃和升迁，是远远过时于芯片工艺，但晶圆厂们，不会告诉你听的。
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